На главную

Условие задачи

Моноэнергетический поток электронов (E = 100эВ) падает на низкий прямоугольный потенциальный баpьеp бeсконечной ширины (рис. 46.1). Определить высоту потенциального барьера U, если известно, что 4 % падающих на барьер электронов отражается .

Решение:
substr(Моноэнергетический поток электронов (E = 100эВ) падает на низкий прямоугольный потенциальный баpьеp бeсконечной ширины (рис. 46.1). Определить высоту потенциального барьера U, если известно, что 4 % падающих на барьер электронов отражается .
,0,80)

substr(Моноэнергетический поток электронов (E = 100эВ) падает на низкий прямоугольный потенциальный баpьеp бeсконечной ширины (рис. 46.1). Определить высоту потенциального барьера U, если известно, что 4 % падающих на барьер электронов отражается .
,0,80)

Цена: 45 руб.

Новый поиск