На главную

Условие задачи

При приложении к полупроводниковому диоду обратного смещения ток через диод обладает свойством насыщения. Каков механизм возникновения этого тока? Как изменится ток насыщения при понижении температуры от 20 до 0°С? Диод изготовлен из материала с шириной запрещенной зоны Еg = 0,7 эВ.

Решение:
substr(При приложении к полупроводниковому диоду обратного смещения ток через диод обладает свойством насыщения. Каков механизм возникновения этого тока? Как изменится ток насыщения при понижении температуры от 20 до 0°С? Диод изготовлен из материала с шириной запрещенной зоны Еg = 0,7 эВ.
,0,80)

substr(При приложении к полупроводниковому диоду обратного смещения ток через диод обладает свойством насыщения. Каков механизм возникновения этого тока? Как изменится ток насыщения при понижении температуры от 20 до 0°С? Диод изготовлен из материала с шириной запрещенной зоны Еg = 0,7 эВ.
,0,80)

Цена: 45 руб.

Новый поиск