На главную

Условие задачи

Тонкая пластинка из кремния шириной 3 мм помещена перпендикулярно линиям индукции однородного магнитного поля 0,5 Тл. При плотности тока 2 мкА/мм² холловская разность потенциалов равна 58 мВ. Определите удельную электропроводность полупроводника и концентрацию свободных электронов и дырок. Подвижности носителей зарядов: электронов μ_n = 0,13 м²/(В·с), дырок μ_p = 0,05 м²/(В·с). Ширина запрещенной зоны кремния 1,1 эВ.

Решение:

substr(Тонкая пластинка из кремния шириной 3 мм помещена перпендикулярно линиям индукции однородного магнитного поля 0,5 Тл. При плотности тока 2 мкА/мм<sup>2</sup> холловская разность потенциалов равна 58 мВ. Определите удельную электропроводность полупроводника и концентрацию свободных электронов и дырок. Подвижности носителей зарядов: электронов μ<sub>n</sub> = 0,13 м<sup>2</sup>/(В·с), дырок μ<sub>p</sub> = 0,05 м<sup>2</sup>/(В·с). Ширина запрещенной зоны кремния 1,1 эВ.,0,80)

Цена: 45 руб.

Новый поиск